Сегодня мы поговорим про утонение кремния. Лазерное утонение предлагает ряд преимуществ по сравнению с традиционными методами, повышая производительность и качество электронных устройств. План статьи: 1. Описание процесса2. Обзор и сравнение методов 3. Выбор оптимального метода4. Примеры выполнения утонения с помощью лазерной системы 5. Что Будет Дальше? Читать далее
В силовой полупроводниковой электронике, как и во многих других областях полупроводниковой электроники, возможности кремния, основного полупроводникового материала, оказались практически исчерпанными. Поэтому ученые ведут интенсивный поиск материалов с новыми свойствами,…
Мы продолжаем рассказывать про применение лазеров в электронике.В прошлой статье мы говорили про резку сырой и спеченной керамики, а в этой расскажем про деметаллизацию покрытий. Читать далее
На этот раз рассказываю про карбид кремния (SiC) и свои разработки и эксперименты с ним. Из статьи вы узнаете особенности применения карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов и диодов, как выбрать элемент и сравнение с кремниевыми (Si) приборами, и, самое главное результаты моих…