3 октября 1950 года в США был выдан патент № 2 524 035 на «трехэлектродный элемент на полупроводниках». Заявку на него подали 17 июня 1948 года Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли. Документ закрепил принцип работы первого транзистора, созданного в Bell Labs в декабре 1947 года, и стал…
Группа физиков из Национальной лаборатория имени Лоуренса в Беркли создала первый в мире транзистор, размер затвора которого составляет всего лишь один нанометр. Это на порядок меньше, чем размер затворов самых маленьких по размеру современных транзисторов. «Нам удалось…
На просторах интернета достаточно много информации о полевых транзисторах (далее ПТ) и их параметрах, но один из довольно простых, на первый взгляд, параметров, а именно – максимальный постоянный ток, который транзистор может через себя пропустить в ключевом режиме, и не сгореть
Работая со схемой, управляющей приличной силой тока, вы зачастую сталкиваетесь с МОП-транзисторами (FET, Field-Effect Transistor). Независимо от того, хотите ли вы управлять парой мощных светодиодов, двигателем или включать/отключать USB-устройство, в схеме обычно присутствует МОП-транзистор, выполняющий часть ответственной работы. Вы можете не знать, как именно он функционирует, как его использовать и какие нюансы при этом учитывать — поэтому начнём с основ. Читать дальше →